化合物半导体相关论文
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电化学电容-电压（ECV）法对测量化合物半导体载流子浓度纵向分布具有重要意义。本文用乙二胺四乙酸二钠（EDTA）电解液对高铝组分AlGaAs化......
研究了 InGaAs外延材料在不同生长温度下的荧光特性.InGaAs的光荧光峰位随生长温度增加向高能方向偏移,荧光半高宽随生长温度的增......
本文主要阐述了汉能成都研发中心高效a-Si:H/c-Si异质结电池的主要研发成果，包括：硅片表面的处理、非晶硅本征层钝化技术、高迁移率T......
在化合物半导体电子器件中,高电子迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率场合最主要的器件形式。基于GaN及相关Ⅲ族氮化物材料(AlN......
本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,......
本文用固相烧结法制备了掺La层状热电氧化物Bi2Sr2-xLaxCo2O9(x=0、0.03、0.05、0.07、0.09)。XRD结果表明Bi-Sr-Co-O氧化物样品存......
采用脉冲高斯激光光束Z扫描方法测量了用磁控共溅射技术制备的InP/SiO纳米颗粒薄膜的非线性光学性质.测量结果表明,在激光波长为58......
光子晶体是一种具有光子带隙结构的新材料,独特的性质使它具有广泛的应用前景.本文介绍了光子晶体的概念和性质,发展现状,理论分析......
本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,......
氮化物和氧化物半导体材料及相关器件是目前国际上化合物半导体领域最活跃的研究方向。近期氮化物半导体材料的一个热点研究方向就......
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/G......
会议
本工作通过对GaInNAs材料合成条件的探究，掌握了MBE法制备GaInNAs材料的实验参数，观察了GaInNAs薄膜表面的典型特征，发现了生长温度、......
采用在线中频磁控溅射设备对掺Al的Si单质靶在N2气氛下进行反应溅射，在1245×635mm2的SLG上均匀沉积了SiNx薄膜，研究了溅射参数对SiN......
本文以Sr2Mn3Sb2O2型层状化合物Sr2AO2M2Se2(A=Co,Mn;M=Cu,Ag)为研究对象,系统研究了化合物的结构类型,MX层中空位的形成特点及原......
本文对厚度为20ìm的(111)晶向的碲锌镉晶片进行双面化学腐蚀,并采用红外透射显微镜对A面和B面的腐蚀坑进行观察和对比时发现,在同......
通过调整生长参数,实现砷化镓纳米线轴向和径向生长速率可控。在此基础上,使用分子束外延技术制备了芯壳p-n结构砷化镓纳米线。同......
在室温下采用偏振反射差分光谱测量了InAs/GaSb超晶格平面内光学各向异性,在GaAs界面厚度保持不变的情况下研究了不同厚度InSb界面......
利用标准光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了直接连接一个输出波导的微柱激光器,并且用BCB进行了包裹。对于直径为15μm,......
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAs高电子迁移率晶体管结构,研究了室温下InAs沟道厚度对二维电子气......
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了......
本文报告采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备InAs/InGaAsP/InP量子点激光器的研究。通过生长条件的优化获得了高质量量子点材......
重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用......
采用固态分子束外延技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长了AlSb/InAsSb结构的高电子迁移率晶体管(HEMTs)。生长中采用了新型挡板开关......
随着新型光电子、红外探测器、毫米波器件等制造技术的快速发展,对标准尺寸的高质量InP,GaSb和InAs单晶衬底的市场需求不断增加。......
本文优化设计了一种高频高饱和输出的单行载流子光电探测器(UTC-PD)。引入线性掺杂吸收区和窄InP崖层从而获得高频高饱和探测器。......
本文报道了一种GaAs基顶部入射的异变谐振腔增强型(RCE)1.55μm InGaAs部分耗尽吸收探测器(PDA-PD)。器件的外延结构由分子柬外延......
已经生长出质量极高的二类超晶格红外探测材料,并研制成功中波、长波、甚长波及窄带双色红外探测器器件。X射线双晶衍射表明中波、......
用普通的化学气相沉积(CVD)技术,在高温真空管式炉中利用金属镓与氨气的反应在硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)表面沉积GaN纳米结构。用场......
本文采用低压MOCVD技术,以HS,二甲基镉(DMCd)和二甲基锌(DMZn)为反应源,通过氢气携运,制备了Cd组份分别为0,0.02,0.44,0.59,0.83,0......
该文介绍了Ⅱ族、Ⅲ族金属有机化合物的合成方法、性质及其应用领域,特别对当前应用广泛的电子级Ⅲ族金属有机化合物的提纯方法做......
研究了离子辐照效应对CdZnTe(CZT)晶体光电性能的影响。采用Ar离子对改进的垂直布里奇曼法生长的CZT晶体进行辐照,剂量范围为1014-......
本文采用低压MOCVD技术,以HS,二甲基镉(DMCd)和二甲基锌(DMZn)为反应源,通过氢气携运,制备了Cd组份分别为0,0.02,0.44,0.59,0.83,0......
简要介绍了CdTe、CdZnTe核辐射探测器的种类、结构和制备的平面型、电容弗里希栅型、像素线性阵列结构等CdZnTe核辐射探测器对Am59......
本文用X射线光电子能谱分析技术(XPS)研究了砷化镓晶片自然氧化层的化学组成和化学计量比,研究了氧化处理技术对砷化镓表面的影响.......
用金属有机物化学气相沉积技术在平面和图形蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱太阳能电池结构，并制作了电池原型器件。XRD摇......
本文以Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体垂直Bridgman法晶体生长过程为背景，通过理论分析、数值模拟和实验研究，探讨了该晶体生长过程中传热、传......
化合物半导体体材料是除元素半导体材料Si、Ge外的另一类重要的半导体材料。它作为基础材料，在电子学和光学方面的应用变得日益重要......
一、概述硫化镉(以下简体 CdS)是一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体。由于它对可见光具有特殊的敏感性,所以是制造可见光范围光电、......
用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数。对其结果进行了......
由元素周期表中Ⅲ族元素和Ⅴ族元素所组成的半导体称为Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体。其中,研究较多的是GaAs、GaP、InP和InSb。GaAs是目......
